[发明专利]一种用小分子生长大面积少层石墨烯的方法及系统有效
| 申请号： | 202010353553.0 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111517309B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴琼 | 申请（专利权）人： | 吴琼 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518067 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用小分子生长大面积少层石墨烯的方法，包括如下步骤：放置原料、设定反应条件、生长和后处理，所述生长原料为芳香族小分子化合物，且所述芳香族小分子化合物的苯环与至少一个氮原子共价连接，所述生长衬底为金属衬底。本发明用小分子生长大面积少层石墨烯的方法通过芳香族小分子化合物提供碳源并在金属衬底上生长大面积少层石墨烯，生长温度达到500～700℃时，金属衬底具有相当的催化还原能力，能够催化芳香族小分子化合物还原成石墨烯并附着于金属衬底上，提升了制备过程的安全性、降低了生产成本。本发明还提供了一种用小分子生长大面积少层石墨烯的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 生长 大面积 石墨 方法 系统 | ||
【主权项】：
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