[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010349103.4 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111540787A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈闯;顾维杰;李俊峰;张振宇 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 张书涛 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该氧化物薄膜晶体管包括：源极接触部、漏极接触部、源极和漏极；源极接触部与源极之间设置有第一氧化物膜层；漏极接触部与漏极之间设置有第二氧化物膜层；第一氧化物膜层的载流子浓度高于源极接触部的载流子浓度，第二氧化物膜层的载流子浓度高于漏极接触部的载流子浓度。本申请能够提高薄膜晶体管导体化程度的一致性，且减小有源层与源极和漏极之间的接触阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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