[发明专利]一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010346191.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111430457A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒;邢志恒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法，属于整流器领域。该整流器包括依次层叠的硅衬底、GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化GaN层、二维AlN层、非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层和SiNx钝化层，还包括设置在一侧的台面隔离凹槽和肖特基接触电极，所述台面隔离凹槽与非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层、SiNx钝化层和肖特基接触电极接触，所述肖特基接触电极与台面隔离凹槽、非掺杂GaN层接触。本发明二维AlN的厚度仅有几个原子层，故受到的应力和极化强度相较AlGaN更大。因此，本发明GaN/二维AlN的异质结构可产生超高浓度且迁移率超大的二维电子气，从而实现频率和效率的大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 gan 二维 aln 异质结 整流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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