[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010341206.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111232918B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 魏丹珠;闾新明 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H04R19/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。本发明的技术方案使得在所述晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致所述晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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