[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构，所述晶圆的背面包括支撑区和芯片区，所述芯片区包括多个芯片单元区；

第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；

图形化处理所述晶圆的背面，包括形成图形化的掩膜层覆盖所述支撑区和部分所述芯片区，对未被所述图形化的掩膜层覆盖的另一部分所述芯片区进行刻蚀，以在所述晶圆的背面形成图形化结构，所述图形化结构包括形成于所述支撑区的支撑结构以及形成于所述芯片单元区的凹槽；以及，

第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，包括研磨所述支撑区和所述芯片区的非凹槽区的所述晶圆，以使得所述晶圆的整体厚度减薄至第二厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第二次减薄之后，还包括清洗所述晶圆的背面。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一厚度为300μm~450μm，所述第二厚度为200μm~250μm。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凹槽贯穿所述晶圆。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述支撑结构包括至少两条交叉的支撑条，每条所述支撑条经过所述晶圆的中心且两端朝向所述晶圆的边缘。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述支撑条在所述晶圆的背面均匀分布。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述支撑结构还包括位于所述晶圆外围边缘的环形结构，所述环形结构包括至少一道与所有的支撑条相交的支撑圆环。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述支撑条的宽度为1mm~5mm。

9.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1~8中任一项所述的半导体器件的制造方法制造，所述半导体器件包括晶圆部分，所述晶圆部分具有相对设置的正面和背面，所述晶圆部分的背面具有图形化结构。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为MEMS麦克风，所述图形化结构包括所述MEMS麦克风的背腔。