[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。本发明的技术方案使得在所述晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致所述晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

采用微电子机械系统 (Micro Electro Mechanical System，MEMS) 工艺形成的MEMS麦克风，由于在小型化、性能、可靠性、环境耐用性、成本和批量生产能力方面的潜在优势而得到广泛应用。

在MEMS麦克风的制造过程中，会将一定厚度的晶圆进行背面减薄，然后再进行晶圆背腔的刻蚀。现有的工艺一般将晶圆减薄至300μm~450μm，而随着半导体市场对器件小型化的需求增多，需要将晶圆的厚度在现有的基础上做进一步地减薄；但是，随着晶圆被进一步地减薄，晶圆的翘曲度也会增大，可能达到300μm~400μm，这样会导致后续的背腔刻蚀工艺出现异常，例如晶圆的碎片和背腔CD（Critical Dimension，关键尺寸）差异大。尤其对于双背极麦克风，由于其本身的翘曲度已经较大，如果对其进一步地减薄，更加不利于其后续的背腔刻蚀工艺。

因此，需要对现有的晶圆减薄工艺进行改进，以使得在晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致晶圆的背腔刻蚀工艺出现异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，使得在晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；

第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；

图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，

第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。

可选的，在所述第二次减薄之后，还包括清洗所述晶圆的背面。

可选的，所述第一厚度为300μm~450μm，所述第二厚度为200μm~250μm。

可选的，所述晶圆的背面包括芯片区，所述芯片区包括多个芯片单元区；所述图形化结构包括形成于所述芯片单元区的凹槽。

可选的，所述凹槽贯穿所述晶圆。

可选的，所述晶圆的背面还包括支撑区。

可选的，图形化处理所述晶圆的背面的步骤包括：形成图形化的掩膜层于所述晶圆的背面，所述图形化的掩膜层覆盖所述支撑区，以在所述支撑区形成支撑结构；并对所述芯片区进行刻蚀，以在所述芯片区的芯片单元区形成所述凹槽。

可选的，所述支撑结构包括至少两条交叉的支撑条，每条所述支撑条经过所述晶圆的中心且两端朝向所述晶圆的边缘。

可选的，所述支撑条在所述晶圆的背面均匀分布。

可选的，所述支撑结构还包括位于所述晶圆外围边缘的环形结构，所述环形结构包括至少一道与所有的支撑条相交的支撑圆环。

可选的，所述支撑条的宽度为1mm~5mm。