[发明专利]肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010330986.4 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111430469A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘彦涛;孟鹤;邢文超;杨硕;杨旭;魏春雨;吕飞;王斌;姜舫;宋美丽 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域。本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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