[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

摘要

本申请实施例提供了一种3D NAND存储器件的制造方法，在衬底第一表面可以形成第一堆叠层，第一堆叠层中形成有第一沟道孔，衬底的第二表面形成缓冲层，沉积填充材料，并去除第一堆叠层上表面和缓冲层表面的填充材料，以形成第一沟道孔中的第一填充层，第一填充层和缓冲层之间具有高刻蚀选择比，沉积堆叠材料并去除缓冲层表面的堆叠材料，以在第一堆叠层上形成第二堆叠层，这样在去除缓冲层表面的填充材料时，缓冲层可以保护衬底不受损伤，而在去除堆叠材料时，堆叠材料本身和衬底具有高选择比，因此不会对衬底造成损伤，从而提高器件完整性。