[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底第一表面形成有第一堆叠层，所述第一堆叠层中形成有第一沟道孔；所述衬底的第二表面形成缓冲层；

沉积填充材料，并利用化学机械研磨工艺去除所述第一堆叠层上表面的填充材料，刻蚀去除所述缓冲层表面的填充材料，以形成所述第一沟道孔中的第一填充层；所述第一填充层和所述缓冲层之间具有高刻蚀选择比；

沉积堆叠材料并去除所述缓冲层表面形成的堆叠材料，以在所述第一堆叠层上形成第二堆叠层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为氮化硅，所述填充材料为多晶硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一堆叠层由牺牲层和绝缘层交替层叠而成，所述牺牲层为氮化硅层，则所述去除缓冲层表面形成的堆叠材料后，去除所述缓冲层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一堆叠层包括台阶区和中心存储区，所述沟道孔形成于所述中心存储区，在所述第一堆叠层的台阶区还形成有台阶结构，所述台阶结构上覆盖有第一介质层；所述第一介质层与所述第一堆叠层的中心存储区齐平。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉积堆叠材料之前，还包括：

在所述台阶区进行刻蚀形成贯穿所述第一介质层和所述第一堆叠层的伪接触孔；

沉积所述填充材料，并去除在所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面，以及所述缓冲层表面的填充材料，以形成所述伪接触孔中的第三填充层；

和/或，

对所述第一介质层进行刻蚀形成第一台阶接触孔；

沉积所述填充材料，并去除在所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面，以及所述缓冲层表面的填充材料，以形成所述第一台阶接触孔中的第二填充层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除在所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面，以及所述缓冲层表面的填充材料，包括：

利用化学机械研磨工艺去除所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面的填充材料；

刻蚀去除所述缓冲层表面的填充材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅。

8.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底第一表面形成有第一堆叠层，所述第一堆叠层中形成有台阶结构，所述台阶结构上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有第一台阶接触孔；所述衬底的第二表面形成缓冲层；

沉积填充材料，并去除在所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面，以及所述缓冲层表面的填充材料，以形成所述第一台阶接触孔中的第二填充层；所述第二填充层和所述缓冲层之间具有高刻蚀选择比；

沉积堆叠材料并去除所述缓冲层表面形成的堆叠材料，以在所述第一堆叠层上形成第二堆叠层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述去除在所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面，以及所述缓冲层表面的填充材料，包括：

利用化学机械研磨工艺去除所述第一堆叠层和所述第一介质层上表面的填充材料；

刻蚀去除所述缓冲层表面的填充材料。