[发明专利]一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法有效
| 申请号： | 202010318546.7 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111596860B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 宁永慧;刘春香;石俊霞;袁航飞;司国良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 刘西云;李微微 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高NAND‑FLASH存储可靠性的FPGA控制方法，首先采用EEPROM实现坏块表的存取，实现了坏块表的掉电保护功能；通过坏块检测操作获得的坏块表和EEPROM读取的坏块表进行对比，综合得出新的坏块表，提高了NAND‑FLASH存数数据的可靠性；由此可见，本发明设计了新的坏块表寻址数据结构，实现了坏块的正确寻址，提高NAND‑FLASH的运行速度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 nand flash 存储 可靠性 fpga 控制 方法 | ||
【主权项】：
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