[发明专利]一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法

权利要求书

1.一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法，其特征在于，采用EEPROM存储坏块表；所述NAND-FLASH的存储区间分为存储区和块替换区，其中，存储区和块替换区均包含多个存储块，且每个存储块对应一个状态位和一个地址码；

所述方法包括以下步骤：

S1：上电时，NAND-FLASH进行坏块检测操作，得到坏块信息，然后将坏块信息发送到FPGA，其中，坏块信息包括坏块的地址码、坏块映射到的好块的地址码；

所述坏块检测操作为：读取各存储块的状态位判断存储块的好坏，在块替换区中查询当前未存储数据的好块的地址码，并将确认的坏块的地址码映射到好块的地址码；

S2：FPGA调用上一次加电时EEPROM中存储的坏块表，然后根据坏块信息更新坏块表，具体更新方法为：

如果坏块检测操作中检测到某个存储块为好块，而坏块表中该存储块为坏块，则将该存储块的状态位设置为异常，且保留坏块表中的地址码；如果坏块检测操作中检测到某个存储块为坏块，则根据该存储块的地址码及其映射到的好块的地址码更新坏块表，其中，若该存储块映射的地址码在坏块表中已被占用，则沿已被占用的地址码的顺序，在块替换区中重新选取映射的地址码；若该存储块映射的地址码对应的存储块在坏块表中被标记为坏块，则沿该被标记为坏块的地址码的顺序，在块替换区中重新选取映射的地址码；若该存储块映射的地址码与该存储块在坏块表中存储的地址码不同，则保留坏块表中的地址码；

S3：对NAND-FLASH的存储区进行写入与擦除，其中，在擦除过程中，实时读取各存储块的状态位判断存储块的好坏，在写入过程中，通过对存储块进行数据校验判断存储块的好坏，从而得到各存储块对应的坏块信息，实时更新坏块表；

S4：完成写入与擦除而下电时，NAND-FLASH再次进行坏块检测操作，得到各存储块对应的坏块信息，然后将最后更新得到的坏块表存储于EEPROM中供下次上电时使用。

2.如权利要求1所述的一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法，其特征在于，当映射的地址码超过警戒值时，NAND-FLASH向FPGA发送损坏报警信号。

3.如权利要求1所述的一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法，其特征在于，在擦除过程中，如果检测到当前擦除的存储块为坏块，除了实时更新坏块表外，还要擦除当前存储块映射的好块中的数据。

4.如权利要求1所述的一种提高NAND-FLASH存储可靠性的FPGA控制方法，其特征在于，在写入过程中，如果检测到当前写入的存储块为坏块，除了实时更新坏块表外，还要将当前存储块写入的数据转移到映射的好块中。