[发明专利]一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法

摘要

本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法。将金属前驱体溶于醇类溶剂形成前驱体溶液，然后加入H2O2溶液，搅拌混合均匀后静置老化，过滤去除不溶物，超声除泡后旋涂至预处理后的基板上，退火处理，得到有源层；在有源层上制备源漏电极，得到金属氧化物TFT器件。本发明通过加入H2O2，可以解决当前溶液法制备金属氧化物TFT普遍存在的关态电流过大的问题，降低器件功耗。并可以提高薄膜的致密性，提高有源层和其它功能层的接触特性，提高TFT器件性能。