[发明专利]一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法

权利要求书

1.一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)选择金属盐或金属醇盐作为前驱体，溶于醇类溶剂形成均一、澄清的前驱体溶液，然后加入H₂O₂溶液，搅拌混合均匀后静置老化，过滤去除不溶物，超声除泡后备用；

(2)将步骤(1)的溶液旋涂至预处理后的基板上，退火处理，得到有源层；

(3)在步骤(2)的有源层上制备源漏电极，得到金属氧化物TFT器件。

2.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述前驱体是指SnCl₂·2H₂O和Zr(NO₃)₄·5H₂O，所述醇类溶剂是指无水乙醇。

3.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述H₂O₂溶液是指浓度为30wt.％H₂O₂水溶液；H₂O₂溶液加入的体积比为0.25％～0.5％。

4.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述前驱体溶液的浓度为0.1～0.3mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述静置老化的时间为24h。

6.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(1)中所述超声除泡的时间为10～15min。

7.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(2)中所述预处理后的基板是指进行plasma处理后的含有底栅极和绝缘层的基板；plasma处理的功率为100～150W，时间为6～12min。

8.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(2)中所述旋涂的转速为5000～7000rpm；旋涂的时间为20～30s。

9.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(2)中所述退火处理的温度为300～400℃。

10.根据权利要求1所述的一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法，其特征在于：步骤(3)中所述源漏电极通过溅射或者蒸镀、印刷工艺制备。