[发明专利]半导体器件套刻精度的测量方法在审
| 申请号： | 202010291703.X | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113539867A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 梁时元;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件套刻精度的测量方法，包括：制备前层图案时，在前层上沿与x轴的倾斜角度α添加第一套刻标记，制备当层图案时，在当层上沿与x轴的倾斜角度α添加第二套刻标记；测量所述第一套刻标记与所述第二套刻标记的第一偏移量，所述第一偏移量为当层图案和前层图案在与x轴夹角为α上的套刻精度。本申请通过利用当层图案和前层图案的倾斜角度，来决定前层和当层上设置套刻标记的方向，而不是以光刻机驱动轴方向设置套刻标记，从而可以直接准确地测量出斜方向偏移，即斜方向套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 精度 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
