[发明专利]半导体器件套刻精度的测量方法

权利要求书

1.一种半导体器件套刻精度的测量方法，其特征在于，所述方法包括：

制备前层图案时，在前层上沿与x轴的倾斜角度α添加第一套刻标记；

制备当层图案时，在当层上沿与x轴的倾斜角度α添加第二套刻标记，所述倾斜角度α为当层图案和前层图案与x轴的夹角；

测量所述第一套刻标记与所述第二套刻标记的第一偏移量，所述第一偏移量为当层图案和前层图案在与x轴夹角为α上的套刻精度。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备前层图案时，还在前层上沿与y轴的倾斜角度β添加第三套刻标记；

在制备当层图案时，还在当层上沿与y轴的倾斜角度β添加第四套刻标记，所述倾斜角度β为当层图案和前层图案与y轴的夹角；

测量所述第三套刻标记与所述第四套刻标记的第二偏移量，所述第二偏移量为当层图案和前层图案在与y轴夹角为β上的套刻精度。

3.根据权利要求2所述的测量方法，其特征在于，所述倾斜角度α与所述倾斜角度β取值范围均为0度～90度之间；

其中，所述x轴和y轴为光刻机的驱动轴。

4.根据权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备前层图案时，还在前层上沿y轴添加第五套刻标记；

在制备当层图案时，还在当层上沿y轴添加第六套刻标记；

测量所述第五套刻标记与所述第六套刻标记的第三偏移量，所述第三偏移量为当层图案和前层图案沿x轴方向的套刻精度。

5.一种半导体器件套刻精度的测量方法，其特征在于，所述方法包括：

制备前层图案时，在前层上沿与y轴的倾斜角度α添加第一套刻标记；

在制备当层图案时，在当层上沿与y轴的倾斜角度α添加第二套刻标记，所述倾斜角度α为当层图案和前层图案与y轴的夹角；

测量所述第一套刻标记与所述第二套刻标记的第一偏移量，所述第一偏移量为当层图案和前层图案在与y轴夹角为α上的套刻精度。

6.根据权利要求5所述的测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备前层图案时，还在前层上沿与x轴的倾斜角度β添加第三套刻标记；

在制备当层图案时，还在当层上沿与x轴的倾斜角度β添加第四套刻标记，所述倾斜角度β为当层图案和前层图案与x轴的夹角；

测量所述第三套刻标记与所述第四套刻标记的第二偏移量，所述第二偏移量为当层图案和前层图案在与x轴夹角为β上的套刻精度。

7.根据权利要求6所述的测量方法，其特征在于，所述倾斜角度α与所述倾斜角度β取值范围均为0度～90度之间；

其中，所述x轴和y轴为光刻机的驱动轴。

8.根据权利要求5所述的测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备前层图案时，还在前层上沿x轴添加第五套刻标记；

在制备当层图案时，还在当层上沿x轴添加第六套刻标记；

测量所述第五套刻标记与所述第六套刻标记的第三偏移量，所述第三偏移量为当层图案和前层图案沿y轴方向的套刻精度。