[发明专利]一种新型铁电拓扑畴存储单元的制备方法

摘要

一种新型铁电拓扑畴存储单元的制备方法，包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO(SrTiO3)单晶衬底上沉积一层BFO(BiFeO3)薄膜；S2：采用热蒸镀法在BFO薄膜表面上沉积一层金镀层，制得铁电材料；S3：存储单元的制备：采用导电原子力显微镜(PFM)探针在S2所述的金镀层表面进行刮擦，刮去局部金镀层，露出BFO区域，将BFO区域外周的金接地作为金电极，BFO区域中心作为BFO电极，制得存储单元；S4：存储单元的调控：通过向BFO电极施加点电压诱导BFO区域形成中心汇聚畴或中心发散畴。相比于现有技术，本发明制得一种方便调控、稳定性高的拓扑畴，能够实现高密度存储。