[发明专利]存储器件及其访问方法

摘要

一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。