[发明专利]存储器件及其访问方法

说明书

一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0072403号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种半导体存储器件，并且具体地，涉及一种储存器件及其访问方法。

背景技术

闪存器件被用作诸如计算机、智能电话、个人数字助理(PDA)、数字照相机、便携式摄像机、录音机、MP3播放器以及掌上电脑的信息器件的语音和图像数据储存介质。闪存器件作为储存器件的应用正在增加。如今，正在应用具有三维阵列结构的半导体存储器件以改善闪存器件的集成度。

具有三维阵列结构的闪存器件的单元串在垂直于基板的方向上形成。即，存储器单元以行和列的形式设置在基板上，并在垂直于基板的方向上堆叠以形成三维结构。然而，已知存储器单元的编程、读取或擦除特性取决于三维结构中存储器单元位于的位置而变化。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种考虑到存储器块的堆叠结构的特性来访问非易失性存储器件的储存器件及其访问方法。

根据示例性实施例，一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，其中该存储器块中堆叠了包括多个字线的多个半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定写入请求是否对应于多个字线中的一个或多个引导字线；当写入请求被确定为对应于一个或多个引导字线时，在第一编程模式下对连接至该一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；以及当写入请求被确定为对应于不同于一个或多个引导字线的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。

根据示例性实施例，一种储存器件包括：非易失性存储器件，其包括其中堆叠有多个半导体层的存储器块；以及储存控制器，其将形成在多个半导体层中的多个字线分类和管理成为一个或多个引导字线以及一个或多个引导字线中的每一个的后续字线。储存控制器在第一编程模式下对连接到引导字线的存储器单元进行编程，根据从在第一编程模式下对连接到引导字线的存储器单元进行的编程而获得的编程结果信息生成第二编程参数，并利用第二编程参数在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。第二编程参数包括通过基于编程结果信息调整在第一编程模式下使用的第一编程参数的编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个而获得的值。

根据示例性实施例，一种储存器件包括：非易失性存储器件，其包括具有彼此堆叠的多个半导体层的存储器块；以及储存控制器，其包括：字线监视器，其控制非易失性存储器件，使得对于对存储器块的一个或多个引导字线的访问请求，在第一编程模式下对与一个或多个引导字线连接的存储器单元进行编程，以及对于对一个或多个引导字线中的每一个的后续字线的访问请求，在第二编程模式下对与后续字线连接的存储器单元进行编程；以及第二参数管理器，根据作为运行第一编程模式的结果而提供的编程结果信息生成用于第二编程模式的第二编程参数。

附图说明

通过参考附图详细描述其示例性实施例，本发明构思的上述和其他目的以及特征将变得显而易见。