[发明专利]一种制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法在审
| 申请号： | 202010256278.0 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111334761A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 赵芬霞;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 湖州中芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/18;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 邓凌云 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺和光学工程技术领域，且公开了一种制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法，具体方法包括以下步骤：S1、筛选需要尺寸的CVD钻石晶片，将CVD钻石晶片放入温水中清洗去除CVD钻石晶片的杂质和污垢，清洗后将CVD钻石晶片放入烘干机中进行快速烘干，烘干时间为5‑7min；S2、取PVC掩膜带，将PVC掩膜带裁剪成需要的尺寸，将使用高温胶带将PVC掩膜带固定在CVD钻石晶片上；S3、对粘接有PVC掩膜带的CVD钻石晶片进行镀膜前处理，处理后将粘接有PVC掩膜带的CVD钻石晶片放入电子束蒸发镀膜机腔内，将电子束蒸发镀膜机腔内抽真空至3E‑7Pa以下。该制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法，能够快速的在CVD钻石晶片的表面形成金属格栅，且能够降低制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 表面 覆盖 金属 格栅 cvd 钻石 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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