[发明专利]具有增透膜的多谱段TDICCD结构有效
申请号: | 202010251137.X | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111430397B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 杨洪;白雪平;姜华男;李金;翁雪涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有增透膜的多谱段TDICCD结构,包括多个谱段,每个谱段均包括级数选通栅和多个像元,每个像元的左端和右端均设有沟阻,每个所述像元均包括增透膜开窗区域和垂直CCD区域,在所述增透膜开窗区域的上端和下端均设有沟阻,在所述增透膜开窗区域履盖有增透膜,所述垂直CCD区域履盖有复合栅介质,所述复合栅介质履盖有垂直CCD驱动栅。本发明提出了一种新的TDICCD结构,通过采用增透模开窗结构大大减少了垂直CCD驱动栅的覆盖面积,在开窗区域内增大了光线的透射率;级数选通栅CSS引线和垂直CCD驱动栅引线采用分区走线的结构,提高了像元占空比,改善了器件的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 增透膜 多谱段 tdiccd 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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