[发明专利]热传导部件的制造方法在审
| 申请号： | 202010235516.X | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471080A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 石田淳一;奥田健 | 申请（专利权）人： | 超众科技股份有限公司;日本电产株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供热传导部件的制造方法，包含如下工序：配置工序，隔着输送工作介质的芯构造体将第1金属板和第2金属板对置配置；定位工序，使定位销与对置配置的第1金属板和第2金属板中的至少一方接触，进行第1金属板与第2金属板的相对的定位；以及接合工序，将被定位后的第1金属板和第2金属板以在内部的空间收纳有芯构造体的状态进行接合而形成接合部。定位销在第1金属板和第2金属板中的至少一方上的接触位置位于相对于接合部向与第1金属板和第2金属板的对置方向垂直的方向离开的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 热传导 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
