[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010221969.7 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113394219B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张立鹏;张三荣 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中存储器结构包括基底、隔离结构、存储单元、第一晶体管、第一接触窗结构与第二接触窗结构。第一晶体管包括第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一金属硅化物层与第二金属硅化物层。第一接触窗结构位于第一金属硅化物层上。第二接触窗结构位于第二金属硅化物层上。第一金属硅化物层与隔离结构互不接触。第二金属硅化物层与隔离结构互不接触。第一金属硅化物层的上视面积大于第一接触窗结构的上视面积。第二金属硅化物层的上视面积大于第二接触窗结构的上视面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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