[发明专利]940nm红外LED的外延结构及其制备方法在审
申请号: | 202010219872.2 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111276582A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 米洪龙;杨杰;关永莉;吴小强;杨鑫;周王康;申江涛;陕志芳;樊明明 | 申请(专利权)人: | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 041600 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明提供一种940nm红外LED的外延结构及其制备方法,属于显示设备领域。外延结构从下至上依次包括衬底(1)、衬底缓冲层(2)、下覆盖层(3)、下波导层(4)、第一有源层(5)、晶格缓冲层(6)、第二有源层(7)、上波导层(8)、电流限制层(9)、上覆盖层(10)、窗口层(11)和欧姆接触层(12),所述第一覆盖层(3)包括第一覆盖层(3‑1)和第二覆盖层(3‑2)。本发明能提高外延结构的晶格质量、提供高势垒电子、减少阱垒的失配效应、提高有源层阱的质量、提高器件的发光效率、提高电子‑空穴的复合率而提升器件的发光效率、使器件电流可以均匀分布、提高欧姆接触质量,因而可以多方位地提高基于该外延结构的940nm红外LED的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 940 nm 红外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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