[发明专利]晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板有效
| 申请号： | 202010206803.8 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113433799B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈琦南 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G03F1/54 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作领域，公开了一种晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板。其中，晶圆边缘曝光方法，包括：提供晶圆，所述晶圆边缘具有多个待曝光区域和与所述多个待曝光区域临接的非曝光区域；提供晶圆边缘曝光装置，所述晶圆边缘曝光装置依次对准各所述待曝光区域、且与所述非曝光区域相互隔离，对各所述待曝光区域进行曝光处理。与现有技术相比，本发明实施方式所提供的晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板具有在保证晶片的曝光效果的同时、减少曝光过程中对有效晶片的损伤的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 曝光 方法 装置 掩膜板 | ||
【主权项】：
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