[发明专利]晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板

说明书

本发明涉及半导体制作领域，公开了一种晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板。其中，晶圆边缘曝光方法，包括：提供晶圆，所述晶圆边缘具有多个待曝光区域和与所述多个待曝光区域临接的非曝光区域；提供晶圆边缘曝光装置，所述晶圆边缘曝光装置依次对准各所述待曝光区域、且与所述非曝光区域相互隔离，对各所述待曝光区域进行曝光处理。与现有技术相比，本发明实施方式所提供的晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板具有在保证晶片的曝光效果的同时、减少曝光过程中对有效晶片的损伤的优点。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。但是，传统晶圆生产工艺良莠不齐，总体都存在过程繁琐，成本高，良率低的不足。现有技术中，为了改善晶圆的晶边缺陷问题，会对晶边进行曝光。

然而，本发明的发明人发现，现有技术中的晶圆边缘曝光方法会对晶圆边缘上的部分有效晶片造成损伤，影响晶圆的品质。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板，在保证晶片的曝光效果的同时、减少曝光过程中对晶圆的损伤。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种晶圆边缘曝光方法，包括：提供晶圆，所述晶圆边缘具有多个待曝光区域和与所述多个待曝光区域临接的非曝光区域；提供晶圆边缘曝光装置，所述晶圆边缘曝光装置依次对准各所述待曝光区域、且与所述非曝光区域相互隔离，对各所述待曝光区域进行曝光处理。

本发明的实施方式还提供了一种晶圆边缘曝光装置，包括：晶圆旋转组件、控制组件以及曝光组件；所述控制组件控制所述晶圆旋转组件依次旋转预设角度；当所述晶圆旋转组件旋转到所述预设角度时，所述控制组件控制所述曝光组件调节曝光面积和曝光时间。

本发明的实施方式还提供了一种掩膜板，包括：设置有透光孔的本体部；可移动的设置于所述本体部的遮光板，所述遮光板用于遮挡至少部分所述透光孔、以调节所述透光孔的面积。

本发明实施方式相对于现有技术而言，将晶圆边缘分割为待曝光区域和非曝光区域，通过晶圆边缘曝光装置对各个曝光区域进行曝光时，晶圆边缘曝光装置依次对准各个待曝光区域，对各个待曝光区域进行曝光，从而有效的保证了曝光效果。此外，由于晶圆边缘曝光装置依次对准各个待曝光区域时，与非曝光区域相互隔离，从而有效的保证不会对非曝光区域进行曝光，减少曝光过程中对晶圆的损伤。

另外，所述晶圆边缘曝光装置依次对准各所述待曝光区域，包括：在各所述待曝光区域设定对准标记；旋转所述晶圆，使得所述晶圆边缘曝光装置依次对准所述对准标记。

另外，所述旋转所述晶圆，使得所述晶圆边缘曝光装置依次对准所述对准标记，包括：对所述晶圆作缺口对准，确定所述晶圆的初始位置；根据各所述所述待曝光区域的位置信息，分别计算各所述对准标记与所述晶圆初始位置之间的圆心角；根据所述圆心角依次旋转所述晶圆，使得所述晶圆边缘曝光装置依次对准所述对准标记。

另外，还包括：所述晶圆边缘曝光装置根据各所述待曝光区域的位置信息，控制所述晶圆边缘曝光装置改变曝光面积和曝光时间。

另外，所述晶圆边缘曝光装置包括掩膜板，所述掩膜板包括用于曝光的透光孔和用于遮挡所述透光孔的遮光板；所述控制所述晶圆边缘曝光装置改变曝光面积，包括：改变所述遮光板的位置，调节所述遮光板遮挡所述透光孔的面积。

另外，所述曝光组件包括掩膜板，所述掩膜板包括用于曝光的透光孔和用于遮挡所述透光孔的遮光板；所述调节曝光面积，具体包括：改变所述遮光板的位置，调节所述遮光板遮挡所述透光孔的面积。