[发明专利]一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010196210.8 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111334760A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陶伯万;贺冠园;费希;夏涛;赵睿鹏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/16;G01J5/12;G01K17/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法。本发明采用IBAD法在非晶基底上获得双轴织构；并通过改变通常所用的离子束入射方向与MgO蒸发源入射方向相对于基底的夹角，薄膜形成类似于斜切单晶表面c轴倾斜于基底法线的结构，最终得到具有c轴倾斜晶粒的薄膜。本发明适用于多晶和非晶的表面，不仅可以使用厚度薄、柔性高、导热性好的金属带材代替现有技术的单晶作为基底，又可应用于在被测件表面直接沉积薄膜制成集成的原子层热电堆传感器，为复杂外形表面的热流测试提供全新的技术手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 基底 制备 原子 热电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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