[发明专利]一种高质量二维原子层薄膜的制备方法有效
申请号: | 202010194032.5 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111254491B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 王泽高;任启源;叶子萌 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C30B25/18 | 分类号: | C30B25/18;C30B29/46;C23C16/01;C23C16/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种高质量二维原子层薄膜的制备方法,将经过预处理的蓝宝石基片置于反应器内,通入二维原子层薄膜生长所需对应的原料蒸汽,在蓝宝石基片表面得到二维原子层薄膜;在上述产物表面上附着有机胶体,以一定角度浸入如去离子水中,使二维原子层薄膜与蓝宝石基片分离得到有机胶体/二维原子层薄膜结合体;再用目标基片将上述步骤产物取出,烘干,得到有机胶体/二维原子层薄膜/目标基片结合体;最后,用有机溶剂除去有机胶体,取出,自然干燥,得到位于目标基片上的二维原子层薄膜。本方法操作步骤简单,所得产品面积大,晶体质量高,原料成本低,主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 质量 二维 原子 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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