[发明专利]一种新型低维钙钛矿薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010192468.0 申请日: 2020-03-18
公开(公告)号: CN111403609A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 郭丽玲;陈南豪;甘小燕;赵文慧;黄佩;许田野;刘韩星 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种低维钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:手套箱中在衬底上旋涂含Pb+前驱体溶液,退火处理,即可在衬底表面制备得到钙钛矿薄膜;将所得钙钛矿薄膜放置到常温后旋涂FAI前驱体溶液,退火处理,得到(PA)2(FA)n‑1PbnI3n+1低维钙钛矿薄膜,其中n为无机层层数,n=1、2、3、4或5;本发明以两步法获得结晶度高、表面质量好的钙钛矿薄膜;该方法工艺简单、成本低廉,获得的薄膜表面光滑平整、结晶度高,将其应用于钙钛矿太阳能电池的吸光层稳定性好吸收好,最终获得性能优异且稳定的太阳能电池原型器件。
搜索关键词: 一种 新型 低维钙钛矿 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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