[发明专利]半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法

摘要

本发明提出了一种半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法，其中，半导体器件金属化方法包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；在电镀种子层上形成金属化结构。通过本发明提供的半导体器件金属化方法，通过绝缘层的形成，基于刻蚀图案刻蚀绝缘层能够形成电镀开口，使得金属化结构形成在电镀开口内，便于控制金属化结构的高宽比，同时能够防止金属化结构塌陷，提高金属化结构的质量，进一步提高半导体器件的性能。