[发明专利]半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法

说明书

本发明提出了一种半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法，其中，半导体器件金属化方法包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；在电镀种子层上形成金属化结构。通过本发明提供的半导体器件金属化方法，通过绝缘层的形成，基于刻蚀图案刻蚀绝缘层能够形成电镀开口，使得金属化结构形成在电镀开口内，便于控制金属化结构的高宽比，同时能够防止金属化结构塌陷，提高金属化结构的质量，进一步提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件加工领域，具体而言，涉及一种半导体器件金属化方法和一种太阳能电池制备方法。

背景技术

丝网印刷高温银浆是现行的晶体硅太阳能电池金属化的常规方法，但其存在印刷线型塌陷不规则，栅线高宽比较低等问题，严重制约了太阳能电池效率的提高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明第一方面提供了一种半导体器件金属化方法。

本发明第二方面提供了一种太阳能电池制备方法。

有鉴于此，根据本发明的第一方面，提出了一种半导体器件金属化方法，包括：在基材的双面沉积绝缘层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；在电镀种子层上形成金属化结构。

本发明提供的半导体器件金属化方法，用于在半导体器件上形成金属化结构，在工作过程中，在基层的双面沉积绝缘层，作为电镀保护层；在绝缘层上设置掩膜层，在掩膜层上形成刻蚀图案；基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口，刻画出栅线图形；在电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；最后在电镀种子层上形成金属化结构。通过本发明提供的半导体器件金属化方法，通过绝缘层的形成，进一步基于刻蚀图案刻蚀绝缘层能够形成电镀开口，使得金属化结构形成在电镀开口内，便于控制金属化结构的高宽比，同时能够防止金属化结构塌陷，提高金属化结构的质量，进一步提高半导体器件的性能。

具体地，通过调整掩膜层上的刻蚀图案可以控制金属化结构的宽度，通过调整绝缘层的沉积厚度以及控制绝缘层的刻蚀深度可以调节金属化结构的高度，能够控制金属化结构的高宽比，提高金属化结构的质量，提高半导体器件的性能。

具体地，金属化结构形成在电镀开口内，在金属化结构形成过程中受到电镀开口的限位作用，金属化结构不会发生塌陷，能够提高金属化结构的质量，提高半导体器件的性能。

另外，根据本发明提供的上述实施例中的半导体器件金属化方法，还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，进一步地，在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：在基材的双面沉积厚度为10nm至2000nm的绝缘层。

在该技术方案中，进一步提供了绝缘层的沉积厚度，通过在基材的双面沉积厚度为10nm至2000nm的绝缘层。能够确保金属化结构形成在电镀开口内，有效避免金属化结构发生塌陷，能够保障金属化结构的质量。

在上述任一技术方案中，进一步地，在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：在基础的双面沉积氧化硅、氟化镁及氧化铝中的至少一种，形成绝缘层。

在该技术方案中，进一步提供了绝缘层的选材，通过氧化硅、氟化镁及氧化铝中的至少一种的选取，确保在金属化结构形成的过程中不会损坏基材，进一步保障半导体器件的质量。

在上述任一技术方案中，进一步地，刻蚀绝缘层至暴露基材，形成电镀开口的具体步骤包括：通过激光机光刻部分绝缘层至暴露基材，形成电镀开口；或通过等离子刻蚀部分绝缘层至暴露基材，形成电镀开口。