[发明专利]半导体器件金属化方法和太阳能电池制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件金属化方法，其特征在于，包括：

在基材的双面沉积绝缘层；

在所述绝缘层上设置掩膜层，在所述掩膜层上形成刻蚀图案；

基于所述刻蚀图案刻蚀所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口；

在所述电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层；

在所述电镀种子层上形成金属化结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：

在所述基材的双面沉积厚度为10nm至2000nm的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在基材的双面沉积绝缘层的具体步骤包括：

在所述基础的双面沉积氧化硅、氟化镁及氧化铝中的至少一种，形成所述绝缘层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口的具体步骤包括：

通过激光机光刻部分所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口；或

通过等离子刻蚀部分所述绝缘层至暴露所述基材，形成电镀开口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在所述电镀开口处设置导电浆料，形成电镀种子层的具体步骤包括：

通过丝网印刷机在电镀开口处印刷导电浆料；

对所述导电浆料进行烘干或烧结，形成所述电镀种子层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，所述在所述电镀种子层上形成金属化结构的具体步骤包括：

通过电镀工艺在所述电镀种子层上沉积铜电镀层和/或锡电镀层，形成所述金属化结构。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，还包括：

刻蚀所述掩膜层；

未被刻蚀的部分所述绝缘层与所述基材形成双减反射层结构。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件金属化方法，其特征在于，还包括：

刻蚀所述掩膜层；

刻蚀去除所述绝缘层。

9.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

通过制绒工艺处理晶体硅衬底；

在所述晶体硅衬底的双面制备非晶硅层；

在非晶硅层上制备透明导电层，形成基材；

通过权利要求1至8中任一项所述的半导体器件金属化方法在所述基材上形成金属化结构。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

通过制绒工艺在电阻率为0.1至5ohm·cm的晶体硅衬底上制备边长为1um至10um的绒面；

在所述晶体硅衬底的双面制备厚度为1nm至30nm的非晶硅层；

在非晶硅层上制备厚度为50nm至150nm，折射率为1至3的透明导电层。