[发明专利]基于卷积神经网络和双向长短期记忆的插针定位方法在审
申请号: | 202010179171.0 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN113392850A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 吴鹏飞;刘勇飞;李彦晖 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G06K9/46 | 分类号: | G06K9/46;G06T7/73;G06N3/04;G06N3/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于卷积神经网络和双向长短期记忆的插针定位方法,该方法通过采用VGG‑16网络从图像中提取边缘点特征;然后开发一个转换模块以生成序列信息,并采用双向LSTM来增强模型的抗噪能力;最后,采用完全连接层来输出最终的预测结果。接插件图像中的噪声和低分辨率是影响插针定位的两个关键因素。通过使用深度学习进行插针图像的边缘提取和插针的定位,利用卷积神经网络对图像的边缘特征进行提取,能最大限度的保证低分辨率图像边缘信息的充分利用,更能准确的定位插针的边缘位置。双向LSTM具有根据上下文的信息处理当前信息的能力,而边缘点由于具有逻辑联系,其前后值几乎没有变化,双向LSTM能进一步优化边缘位置并忽略噪声的影响,从而使得插针定位精度的进一步提高。 | ||
搜索关键词: | 基于 卷积 神经网络 双向 短期 记忆 定位 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010179171.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种确定不良域名的方法及系统
- 下一篇:一种对话文本生成方法及装置