[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010174763.3 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111693187A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 挽地友生;深井健太郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供抑制面积及消耗电流并且高精度检测物理量的半导体装置。半导体装置具备霍尔元件、第1差动对、第2差动对、输出放大电路及分压电路。霍尔元件向第1差动对输出依赖于施加在半导体衬底的应力的信号。分压电路分压成具有依赖于应力的分压比的分压电压。第1差动对基于所述信号输出第1电流。第2差动对基于所述分压电压和基准电压输出第2电流。输出放大电路输出基于第1、第2电流的电压。输出放大电路的放大率所具有的所述应力的依赖系数，由第1、第2差动对的各跨导的所述应力的依赖系数之差、和所述分压比所具有的所述应力的依赖系数之和来近似。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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