[发明专利]一种纳米压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010172385.5 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN111366275B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 原会雨;刘睿超;孙启军;刘皓;崔俊艳;高金星;杨道媛 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22;B82Y15/00;B82Y40/00;C03C17/34
代理公司: 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 代理人: 郭璐
地址: 450001 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种纳米压力传感器,包括两个导电基底和位于两个导电基底之间的纳米功能层组成,纳米功能层覆盖在其中一个导电基底的表面,还提供了制备方法,将二维纳米材料通过纳米技术覆盖在导电基底的表面,形成纳米功能层,将覆盖有纳米功能层的导电基底与未覆盖纳米功能层的导电基底组装,将纳米功能层夹在两个导电基底中间,得到纳米压力传感器。得到纳米压力传感器。本发明的纳米压力传感器在低压力区的灵敏度较高,基于纳米材料构建,可以大大减小阻压式压力传感器的压力阈值,并具有灵敏度高、制备简单的优点,在智能穿戴设备、机器人电子皮肤、物联网等领域具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 纳米 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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