[发明专利]半导体器件结构的制备方法有效
| 申请号： | 202010166908.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394097B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，制备方法包括：提供第一基底，并在其中形成第一柱结构，将第一基底与第二基底键合，去除部分第一基底并在第一柱结构对应位置处形成第二柱结构，第二柱结构与第一柱结构构成联合柱结构。本发明在第一沟槽及第一柱结构的制备的同时，引入了第二基底及第二沟槽，并形成第二柱结构，得到联合柱结构，从而可以第二沟槽改变第一沟槽的形貌，从而可以得到需要形状的联合柱结构，以适应器件的需求，可以解决由于第一沟槽的形貌的限制所带来的器件结构中电荷不平衡的问题，改善了电场的重新分布，提高了器件的耐压水平，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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