[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202010166441.4 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111341859B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨德仁;胡安红;周洁;吴选之 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;龙焱能源科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、电池窗口层、电池层、背接触层与背电极;所述电池窗口层包括掺氧的CdSe层;所述掺氧的CdSe层中氧原子的含量为氧原子与Se原子总含量的0.1%~75%。与现有技术相比,本发明提供的碲化镉薄膜太阳能电池的窗口层包含掺氧的CdSe层,既提高了窗口层的均匀性,并通过掺氧提高了太阳能电池的电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的