[发明专利]一种用于全反射X射线荧光分析的旋涂制样方法在审
| 申请号： | 202010161981.3 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111272791A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 卓尚军;李南艳;钱荣;高捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202;G01N23/223 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于全反射X射线荧光分析的旋涂制样方法，包括如下步骤：（1）称取一定量的待测样品，在所述待测样品中加入适量分散剂制成待测悬浊样品液，在所述待测悬浊样品液中加入内标物，得待测液；（2）将所述待测液进行均质化混合处理；（3）移取一定体积的均质化混合处理后的待测液，并将其滴加在洁净的样品载体的中心位置；（4）将滴加有待测液的样品载体放置于旋涂仪的中心位置，利用旋涂仪将待测液制成均匀分布在样品载体表面的薄膜样层；（5）将表面承载薄膜样层的样品载体放置于全反射X射线荧光光谱仪的测量室内，利用全反射X射线荧光光谱仪进行样品检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 全反射 射线 荧光 分析 旋涂制样 方法 | ||
【主权项】：
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