[发明专利]一种双基岛散热芯片封装工序有效

专利信息
申请号: 202010150008.1 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111326429B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 徐德慧 申请(专利权)人: 浙江工业职业技术学院
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/495
代理公司: 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 代理人: 桑杨
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种双基岛散热芯片封装工序,包括引线框架毛坯、芯片、双基岛、冲压装置以及封装装置;将引线框架毛坯置于冲压装置上,通过第一压紧组件压紧引线框架毛坯,所述引线框架毛坯通过冲压组件将基岛中部冲压形成散热槽,散热槽贯穿引线框架毛坯两端面;将芯片装设于散热槽的两端;将安装完芯片后的引线框架毛坯置于封装装置上,通过第二压紧组件压实散热槽四周的引线框架毛坯,再通过封装装置的塑封组件对芯片上端与四周进行塑封,散热槽两端的芯片塑封形成基岛,通过上述设置,冲压时该引线框架毛坯不会出现冲压变形且塑封时引线框架毛坯不会出现封装变形。
搜索关键词: 一种 双基岛 散热 芯片 封装 工序
【主权项】:
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