[发明专利]图案形成方法以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010146011.6 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN112542374A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 今村翼 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够形成精细图案的图案形成方法以及半导体装置的制造方法。实施方式的图案形成方法为，在第一层的表面形成有机物层，该有机物层包含具有第一厚度和第一宽度的第一区域部分、具有第二厚度和第二宽度的第二区域部分、以及位于第一区域部分与第二区域部分之间且具有比第一厚度以及第二厚度小的第三厚度和第三宽度的第三区域部分，在反应性离子蚀刻装置的处理腔室之中，在有机物层的表面形成包含氧化硅的第二层，在处理腔室之中，以第二层为掩模对第三区域部分进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 以及 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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