[发明专利]微机电传感器封装结构及其制造方法有效
申请号: | 202010142484.9 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111320130B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 万蔡辛 | 申请(专利权)人: | 无锡韦感半导体有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘静 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种微机电传感器封装结构及其制造方法,该封装结构,包括:基板;支撑件,位于所述基板上,所述支撑件与所述基板之间形成空腔;芯片,所述芯片位于所述空腔中,所述芯片经由金属线与所述基板电连接;五金件,位于所述支撑件上,所述五金件具有凹槽,所述凹槽朝向所述支撑件;其中,所述芯片包括MEMS芯片,所述支撑件设置有进音孔,所述进音孔位于所述五金件凹槽在所述支撑件上的投影内,以减少外界对所述芯片的影响。由于有五金件的存在,对支撑件内的结构提供了更好的保护,提高了产品的稳定性和可靠性,还可以减少所需进行产品测试的次数,节约测试成本。 | ||
搜索关键词: | 微机 传感器 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡韦感半导体有限公司,未经无锡韦感半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010142484.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。