[发明专利]蚀刻装置有效
| 申请号： | 202010136390.0 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111640691B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杉崎太亮;石井荣子;中嵨健次;明渡邦夫;野田浩司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高对半导体晶圆的表面蚀刻的均匀性的技术。本发明提供的蚀刻装置具有贮存蚀刻液的贮存槽、支撑件、光源、对置电极以及电源。支撑件在半导体晶圆的第一表面浸渍于蚀刻液的状态下可旋转地支撑半导体晶圆。光源向支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面照射光。对置电极配置在贮存槽内，位于支撑件与光源之间，并且位于与支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面分离的位置。电源向支撑件支撑的半导体晶圆与对置电极之间施加电压。在光源照射光时，光的照射范围和对置电极的影子投影于支撑件支撑的半导体晶圆的第一表面。在支撑件使半导体晶圆旋转时，第一表面的至少一部分经过照射范围和影子这两处。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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