[发明专利]蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻装置，通过光电化学蚀刻来蚀刻半导体晶圆，所述蚀刻装置具有：

贮存槽，贮存蚀刻液；

支撑件，在所述半导体晶圆的第一表面浸渍于所述蚀刻液的状态下可旋转地支撑所述半导体晶圆；

光源，向所述支撑件支撑的所述半导体晶圆的所述第一表面照射光；

对置电极，配置在所述贮存槽内，位于所述支撑件与所述光源之间，并且位于与所述支撑件支撑的所述半导体晶圆的所述第一表面分离的位置；以及

电源，向所述支撑件支撑的所述半导体晶圆与所述对置电极之间施加电压，

在所述光源照射光时，所述光的照射范围和所述对置电极的影子投影于所述支撑件支撑的所述半导体晶圆的所述第一表面，

在所述支撑件使所述半导体晶圆旋转时，所述第一表面的至少一部分经过所述照射范围和所述影子这两处，

在所述支撑件使所述半导体晶圆旋转时，所述第一表面的外周部经过所述照射范围和所述影子这两处，所述第一表面的中央部一直位于所述照射范围内。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，

所述对置电极为棒状，在从所述第一表面的所述中央部偏离的位置处与所述第一表面的所述外周部相对。