[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器有效
| 申请号： | 202010135967.6 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113346006B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的合成反铁磁层生成之前还形成有单层材料膜或多层材料膜的晶格促进层，其用以使所述合成反铁磁层生成时形成面心立方FCC(111)结构并具有垂直各向异性，实现合成反铁磁层到参考层之间的强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 及其 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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