[发明专利]一种射频芯片在硅空腔中的嵌入方法在审
| 申请号： | 202010132314.2 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111341668A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种射频芯片在硅空腔中的嵌入方法，具体包括如下步骤：101)金属柱成型步骤：102)空腔制作步骤、103)芯片嵌入步骤；本发明提供制作方便、工艺简化，实现射频芯片底部能进行散热和接地互联的一种射频芯片在硅空腔中的嵌入方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 空腔 中的 嵌入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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