[发明专利]一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202010129673.2 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111205496B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙晓丽;洪亚;闫寿科;李慧慧;任忠杰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180～260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150～165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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