[发明专利]一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202010129673.2 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111205496B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 孙晓丽;洪亚;闫寿科;李慧慧;任忠杰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 晶体 制备 方法 | ||
1.一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将纤维置于剪切机的基底表面并固定好纤维，在纤维上方放置聚偏氟乙烯薄膜；将聚偏氟乙烯薄膜在230～250℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在155～160℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体；
所述纤维的熔点为Tm，所述剪切温度为Ts，则Tm-Ts≥5℃；
其中，剪切速率为0.02～0.1mm/s，剪切时间为2～8s，
其中，所述γ型晶体为γ型横晶。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纤维沿着所述聚偏氟乙烯薄膜所在平面的一个方向剪切。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯的平均分子量为5×104～7.5×105。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纤维选自聚酰亚胺纤维、聚醚醚酮纤维、聚四氟乙烯纤维和聚丙烯腈纤维中的一种，且所述纤维的断裂伸长率小于等于8％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，剪切速率为0.04～0.08mm/s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，剪切时间为剪切速率为0.05～0.07mm/s。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
先将聚偏氟乙烯薄膜在230～250℃的剪切温度下加热5～15min，然后再将聚偏氟乙烯薄膜用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在155～160℃的结晶温度下进行结晶10～22h，得到聚偏氟乙烯γ型晶体；其中，剪切速率为0.02～0.1mm/s，剪切时间为2～8s。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯薄膜不含有其他聚合物。
9.根据权利要求1～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯薄膜采用如下步骤制备：
将聚偏氟乙烯溶液施加于基底上，干燥后得到聚偏氟乙烯薄膜；
其中，所述聚偏氟乙烯溶液含有30～70mg/mL的聚偏氟乙烯，所述聚偏氟乙烯溶液的溶剂选自二甲基亚砜、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基乙酰胺中的一种或多种。
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