[发明专利]一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010126538.2 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111653614B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 张辉;林志东;邹鹏辉;刘胜厚;孙希国;蔡仙清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法，包括依次层叠的衬底、外延层，外延层上还有单层栅介质层，在栅介质层中设置凹槽，所述凹槽有两侧壁，所述侧壁为多阶连贯斜面，深阶斜面相对于水平面的角度大于上阶斜面相对于水平面的角度；本发明公开的GaN基HEMT器件的多角度凹槽栅器件及其制作方法，可以有效改善栅槽边缘电场的尖峰效应，提高器件可靠性，而且该器件易于金属覆盖，更加提高器件的可靠性，该器件结构可根据需求灵活调整，改变刻蚀时的工艺参数功率、气体及气体流量即可以改变凹槽栅形状，具有较强的适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 角度 凹槽 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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