[发明专利]一种稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010121092.4 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111218278A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 彭跃红;李家旺;聂建全;李文禹;王琦闻;杨尔均;赵文倩;梁莹 申请(专利权)人: 楚雄师范学院
主分类号: C09K11/74 分类号: C09K11/74
代理公司: 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 代理人: 龙燕
地址: 675000 云南省楚*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种稀土共掺铋系层状半导体绿色上转换发光材料及其制备方法,属于稀土发光材料领域。本发所述上转换发光材料的化学通式为:Bi1‑x‑yYbxTbyOM,其中,x=0.01~0.1,y=0.01~0.05;M为元素F、Cl、Br中的一种,可以采用液相法或者固相法制备。本发明所述方法制备的上转换发光材料物理化学性质稳定,合成方法简单易操作、成本低、发光性能良好,在3D显示、照明、荧光标记、固态激光、生物医学及光电多功能器件方面具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 稀土 共掺铋系 层状 半导体 绿色 转换 发光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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