[发明专利]光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器在审
| 申请号： | 202010111899.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111509555A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 雷·海明威;克里斯蒂安·斯塔加雷斯库;丹尼尔·梅罗维奇;马尔科姆·R·格林;沃尔夫冈·帕尔兹;日基·马;理查德·罗伯特·格日博夫斯基;纳森·比克尔 | 申请（专利权）人： | 镁可微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/026;G02B6/42;H01S5/00;H01S5/10;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杜诚 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器。一种光子集成电路PIC，包括：半导体激光器，其包括锥形激光器配合表面和接触表面；以及基板，其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域，其中，所述锥形基板配合表面被配置成接触所述半导体激光器的锥形激光器配合表面，并且其中，所述凹陷着陆区域包括被配置成与所述半导体激光器的接触表面形成电连接的接触垫。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 集成电路 及其 制造 方法 以及 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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