[发明专利]光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器在审

专利信息
申请号: 202010111899.X 申请日: 2017-02-17
公开(公告)号: CN111509555A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 雷·海明威;克里斯蒂安·斯塔加雷斯库;丹尼尔·梅罗维奇;马尔科姆·R·格林;沃尔夫冈·帕尔兹;日基·马;理查德·罗伯特·格日博夫斯基;纳森·比克尔 申请(专利权)人: 镁可微波技术有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/026;G02B6/42;H01S5/00;H01S5/10;H01S5/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;杜诚
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光子 集成电路 及其 制造 方法 以及 半导体激光器
【说明书】:

公开了一种光子集成电路及其制造方法和基板以及半导体激光器。一种光子集成电路PIC,包括:半导体激光器,其包括锥形激光器配合表面和接触表面;以及基板,其包括形成在所述基板中的锥形基板配合表面和凹陷着陆区域,其中,所述锥形基板配合表面被配置成接触所述半导体激光器的锥形激光器配合表面,并且其中,所述凹陷着陆区域包括被配置成与所述半导体激光器的接触表面形成电连接的接触垫。

专利申请是国际申请日为2017年2月17日、国家申请号为 201780020561.X、发明名称为“用于光子集成电路中的激光器对准技术” 的专利申请的分案申请。

相关申请

本专利申请要求于2016年2月19日提交的美国临时专利申请第 62/297,735号的优先权,其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开内容总体上涉及半导体激光器并且,更具体地涉及用于将半导 体激光器对准光子集成电路(PIC)基板的技术。

背景技术

硅光子芯片需要施加电流和光以便起作用。以与其他类型的硅芯片使 用的方式类似的方式提供电流。然而,到目前为止,已经使用各种方法来 向PIC基板提供光输入以形成PIC。用于光学耦合的主要方法是基于有源 对准。使用有源对准,可以通过为激光器供电来生成光,通常在下游检测 到来自激光器的能量。为了峰值光学耦合,在固定几何形状之前相对于检 测器精确地移动激光器、光纤、透镜或其他中间对象。该方法需要在组装 过程的早期电接触激光器,这可以使可制造性复杂化。以下是与PIC基板 的光学耦合的三个示例。

第一示例使用将光线带到PIC基板的光纤。该示例使用将光纤与PIC 基板有源对准,这可以是耗时并且昂贵的并且可以产生易碎的组件。使用 光纤还消耗了不仅用于光纤而且用于可以连接至光纤的另一端的封装半 导体激光器的大量空间。

第二示例与透镜和其他光学元件使用外部封装的半导体激光器二极 管,如美国专利8,168,939中所公开的。虽然该示例与第一示例相比减少 了使用的空间量,但是它仍然消耗太多空间,而且增加了与光学元件以及 所需的组装和封装关联的成本。该示例通常还需要在对准期间激活激光 器。

第三示例直接与硅光子芯片使用切割或蚀刻的端面半导体激光器。该 示例使整体尺寸最小化,然而,它需要将半导体激光器与硅光子芯片有源 或无源对准,这是耗时的并且增加了成本。

为了解决上述缺点,已经在使用无源对准以降低成本和组装速度上做 出了一些努力。在无源对准中,通常用显微镜成像系统观察部件上的光学 基准,并且然后简单地配合和固定这些部件而不测量光学耦合性能。无源 对准可以是简单并且快速的,但是受到实现需要的精度所需的成本和时间 的严重限制。产生的对准精度低于15微米是非常昂贵的。

与光向PIC基板的电流传送关联的上述挑战和缺点阻碍了在诸如数 据中心连接的应用中以有益的方式使用PIC的能力。

发明内容

在一些实施方式中,光子集成电路(PIC)包括:半导体激光器,其 包括前向引导表面;和PIC基板,其包括配合表面,其中,通过将半导体 激光器放置在PIC基板中并且将前向引导表面与配合表面配合来将半导 体激光器对准在PIC基板中。引导表面可以具有不同的形状,例如三角形 或剪切的三角形。配合表面可以匹配引导表面的形状,或者可以包含来自 引导表面的顶尖缺口(relief)。配合表面可以包含弯曲边缘。半导体激光 器和PIC基板可以包含蚀刻到基板中的标尺以辅助对准。对准可以经由外 部推力是主动的,或者经由用焊料或树脂的表面张力是被动的。激光器还 可以包含端面,并且PIC基板可以包含波导。端面和波导可以成角度以防 止背反射到激光器中。可以在竖直维度、水平维度或两者上控制角度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镁可微波技术有限公司,未经镁可微波技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010111899.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top